日前，上海交大无锡光子芯片研究院实现重大进展——我国首条光子芯片中试线成功投入运行，同步下线全球首片6英寸薄膜铌酸锂光子芯片晶圆。

这种用“光”取代“电”的前沿技术，不仅突破了电子芯片的性能瓶颈，也成功避开西方对传统芯片产业链上的技术封锁，成为我国掌握的又一关键战略优势。

众所周知，传统电子芯片依靠电子传输信息，越往高制程逼近，发热、功耗、稳定性问题越严重。此前美方正是借助EUV光刻、5纳米制程等技术垄断，对中国科技实现定点打压。然而，光子芯片的问世有望打破这一局面。它不再依赖电子作为信息载体，而是通过“光”进行信号传输，速度可达传统电子芯片的百倍，能耗却低至aJ/MAC级别，同时具备抗电磁干扰的天然优势。在军事雷达、量子通信、人工智能训练以及航空航天等高端技术领域应用潜力巨大。我国科研团队此次突破性地采用深紫外光刻与薄膜刻蚀协同工艺，成功攻克大尺寸薄膜铌酸锂晶圆的制备瓶颈，不依赖EUV，也不受ASML钳制，真正实现技术链自主可控，在全球芯片博弈中打出了一张极具战略意义的“主动牌”。